مقایسه ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ال جی 32 اینچ مدل 32GN600با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ال جی 32 اینچ مدل 32GN600

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اندازه بدون پایه 77.5 * 428 * 714.7 میلی‌متر -
وزن خالص بدون پایه 5.2 کیلوگرم -
اندازه با پایه 224.8 * 515.1 * 714.7 میلی‌متر -
وزن کلی با پایه 5.9 کیلوگرم -
قابلیت تنظیم ارتفاع پایه false -
قابلیت تنظیم چرخش عمودی (Tilt) true -
قابلیت تنظیم چرخش افقی (Swivel) false -
قابلیت چرخش ۳۶۰ درجه (Pivot) false -
اندازه نمایشگر 32 اینچ -
فناوری پنل VA -
سیستم نوردهی پس‌زمینه W-LED -
عمق بیت پنل (bit-depth) 8 بیت -
تعداد رنگ‌های پشتیبانی‌شده 16 میلیون رنگ -
رزولوشن (Resolution) تصویر پنل 1440 × 2560 -
تراکم پیکسل در نمایشگر 93 پیکسل در هر اینچ -
نسبت تصویر صفحه‌نمایش 16:9 -
اندازه و رزولوشن تصویر پنل QHD / 1440p -
درصد پوشش فضای رنگ sRGB 95 درصد -
نسبت کنتراست استاتیک 3000 : 1 -
محدوده زاویه دید افقی 178 درجه -
زاویه دید عمودی به درجه 178 درجه -
حداکثر نرخ نوسازی (Refresh Rate) 165 هرتز -
حداقل نرخ نوسازی (Refresh Rate) 48 هرتز -
حداقل زمان پاسخ‌گویی (Response Time) 5 میلی‌ثانیه -
نوع پوشش صفحه‌نمایش مات -
قابلیت پخش سه‌بعدی false -
زمان تاخیر ورودی 4.5 میلی‌ثانیه -
نوع بلندگو false -
پشتیبانی از خروجی صدای دیجیتال false -
پشتیبانی از ورودی 3.5 میلی‌متری false -
پورت خروجی هدفون true -
مصرف برق در حالت استندبای 0.3 W -
ماکزیمم توان مصرفی 63 W -
محدوده دمای کاری 0 تا 40 درجه سانتی‌‌گراد -
نصب و اتصال به دیوار true -
توضیحات نصب روی دیوار استاندارد VESA از نوع 100 × 100 میلی‌متر -
سال ساخت و تولید 2020 -
محتویات جعبه کابل HDMI -
نام معادل LG UltraGear 32GN600 ** LG 32GN600-B -
نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
اندازه و ابعاد - 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال 135396با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال 135396

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه SSD داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,450 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,900 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM بله false
محدوده دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Controller Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه 90,000IOPS
طول عمر متوسط نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ بله false
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe) ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
فناوری رمزنگاری رمزگذاری AES 256 بیتی -
رنگ‌بندی سیاه -
اندازه و ابعاد M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر) 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول تقریباً 8.0 گرم 8 گرم
محتویات جعبه SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان توان مصرفی عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال 135398با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال 135398

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه حافظه فلش NAND اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال NVMe -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7150 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) آخرین حافظه NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller) کنترلر با روکش نیکل Silicon Motion SM2263XT
سیستم‌عامل‌های سازگار کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
فناوری رمزنگاری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان توان مصرفی کارآمد -
نرخ نوشتن ترتیبی - 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال 135397با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال 135397

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد M.2 2280 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 256 MB
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال 135399با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال 135399

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا Silicon Motion SM2263XT
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد M.2 2280 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
نرخ نوشتن ترتیبی - 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS ترنسند
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت / 1.5 آمپر
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI CE, FCC, BSMI, KC, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت / 1.5 آمپر
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 90,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت / 1.5 آمپر
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۶ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false