صفحه 8 از مقایسه توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) SMI SM2263EN -
نرخ خواندن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 80 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3.2 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, VCCI, FCC, BSMI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6.8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کینگ مکس SME32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SME32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 120 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 300 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,200,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ۸ و بالاتر ** مک -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته BCH ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/1.0 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, RoHS -
اندازه و ابعاد 7.0 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر -
وزن محصول 73 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 480 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر -
وزن محصول 71 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 480 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 480 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 480 MB -
کنترلر (Controller) Marvell -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
اندازه و ابعاد 7 * 70 * 100 میلی‌متر -
وزن محصول 36 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 960 MAX NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 630,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
اندازه و ابعاد 10.65 * 23.2 * 80.6 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک) -
وزن محصول 36.6 گرم (با هیت سینک) ** 7.3 گرم (بدون هیت سینک) -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Crucial Architecture -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE -

مقایسه اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 96Layer 3D NAND -
کنترلر (Controller) HP H6578 -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 74,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی حداکثر 2.2 وات هنگام استفاده و 40 میلی‌وات در حالت استندبای -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3G لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, BSMI, RoHS, VCCI -
اندازه و ابعاد ضخامت 6.7 میلی‌متر -
وزن محصول 50 گرم -

مقایسه سامسونگ PM981a NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM981a NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2200 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 2.5 * 22.8 * 78.7 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over-Provision برای افزایش عمر حافظه ** توان مصرفی پایین ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت مدیریت Bad block -
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه ای دیتا XPG SX8000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX8000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D MLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2260 -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 140,000IOPS -
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ Mzplj3t2hbjr-00007 Pm1735 ظرفیت 3.2 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x8 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL -
میزان ظرفیت حافظه 3.2 ترابایت -
نرخ خواندن ترتیبی 8000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 3800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
حافظه DRAM false -
میزان توان مصرفی 14 W -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -