مقایسه توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB -
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 940 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTTF) ساعت -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر -
وزن محصول 3.9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 7100 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار سازگار با پلی‌استیشن 5 ** مک OS ایکس ** ویندوز 10 -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 11 * 23 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 410 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 9.7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر -
وزن محصول 40.6 گرم -
نشانگر وضعیت LED true -
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما -

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 9.7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی - 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1650 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, BSMI
اندازه و ابعاد - 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
نرخ خواندن ترتیبی - 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - DM620
نرخ خواندن ترتیبی - 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد - 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 950,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد - 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه - اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد - 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false