1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 4

صفحه 4 از مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0) با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0) با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMeبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۳۸۰۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.۲ 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 45 گرم
رنگ‌بندی Black, Green -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350Sبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۵ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۹۵۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۱۲ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۲۰۵ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۷۰ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال 135396 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال 135396 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال 135396با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال 135396

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه SSD داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,450 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,900 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM بله true
محدوده دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Controller Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه 300,000IOPS
طول عمر متوسط نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ بله false
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe) ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5 -
فناوری رمزنگاری رمزگذاری AES 256 بیتی -
رنگ‌بندی سیاه -
اندازه و ابعاد M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول تقریباً 8.0 گرم 45 گرم
محتویات جعبه SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان توان مصرفی عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO -
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فیلیپس VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه