1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 3

صفحه 3 از مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0) با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0) با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کلیو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۱۰ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 45 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 45 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D cMLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۴۵۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴ گرم 45 گرم
رنگ‌بندی Black, Green -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 45 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

دِل VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 512 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

دِل VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 512 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

دِل VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 512 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

آی‌استوریج VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS 300,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال 135398 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال 135398 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال 135398با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال 135398

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه حافظه فلش NAND اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال NVMe -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7150 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) آخرین حافظه NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) کنترلر با روکش نیکل Phison E12
سیستم‌عامل‌های سازگار کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 -
فناوری رمزنگاری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
محتویات جعبه SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان توان مصرفی کارآمد -
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه