1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 5

صفحه 5 از مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 45 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D cMLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۴۵۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴ گرم 45 گرم
رنگ‌بندی Black, Green -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 45 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 45 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350Sبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۵ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۹۵۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۱۲ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۲۰۵ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلیو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۱۰ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی
ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 400,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS ام جی
ویژگی

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4300 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC -
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت VS ام جی
ویژگی

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7250 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 400,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 47 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی
ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MKX Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 400,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 46 گرم 45 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه