1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 4

صفحه 4 از مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMeبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۳۸۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.۲ 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 45 گرم
رنگ‌بندی Black, Green -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۴۸۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۷ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲.۵" 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۵۸ گرم 45 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
VS
مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ام جی VS ایکس‌پی‌جی
ویژگی

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) ۲۵۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
اندازه و ابعاد 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول 45 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 45 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC ۳D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۴۰ گرم 45 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

دِل VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 45 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای‌دیتا VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲ گرم 45 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 45 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه