1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 4

صفحه 4 از مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120 با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120 با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۵۰ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 6 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0) با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0) با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883 با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883 با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲.۵" 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۵۸ گرم 6 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMeبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۳۸۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۴۰۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.۲ 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 6 گرم
رنگ‌بندی Black, Green -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ام جی VS ایکس‌پی‌جی
ویژگی

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) ۲۵۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول 6 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350Sبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۵ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۹۵۰۰۰ IOPS 400,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۱۲ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲۰۵ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کینگستون VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

برند نامشخص VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۶ گرم 6 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954 با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954 با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۲ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه