1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سیلیکون پاور VS ام جی
ویژگی

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC -
مواد بدنه پلاستیک -
اندازه و ابعاد 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 46 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS توشیبا
ویژگی

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام اس آی VS ام جی
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) PHISON E26 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS 400,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

ام جی VS وسترن دیجیتال
ویژگی

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison E12 ASMedia ASM2364
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 35 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.11 و بالاتر ** پلی‌استیشن 5 ** پلی‌استیشن 4 پرو ** پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ** ایکس باکس سری S و X ** ایکس باکس وان
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 14 * 62 * 118 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 115 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ام جی VS خودروسازی دی اس
ویژگی

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 170,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 2.8 آمپر
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

ام جی VS دی شیشو
ویژگی

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر ویندوز 7، 8، 10 ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه استاندارهای FCC , CE , ROHS
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS ایکس انرژی
ویژگی

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر ویندوز
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6 گرم 35 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ام جی VS ایکس انرژی
ویژگی

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS پی ان وای
ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND Toshiba 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite AES 128-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS سیگیت
ویژگی

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS ام اس آی
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 HS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 5500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite AES 256bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلی‌وات * حالت Idle
مشاهده جزئیات مقایسه