صفحه 14 از مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	DM620
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	256,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	NAND Flash
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	180,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام جی VS ام جی

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS Crucial

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	Micron 96L TLC
کنترلر (Controller)	Phison E12	Phison E13T
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS اچ پی

ویژگی	اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	370,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	1 MB Micron DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS Corsair

ویژگی	کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	1,200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6 گرم	660 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام جی VS توین موس

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS کلو

ویژگی	کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	350 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 پشتیبانی از SLC Cache پشتیبانی کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول	6 گرم	10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS KingSpec

ویژگی	کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	SLC
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	59,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS PNY

ویژگی	پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	890 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	880 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز ** مک
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	10.9 * 57.15 * 63.5 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, REACH, RoHS
مواد بدنه	-	آلومینیوم
محتویات جعبه	-	1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS KingSpec

ویژگی	کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	3D MLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	41 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ام جی VS مایکروسافت

ویژگی	سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه