صفحه 13 از مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Intel 384Gb 32-Layer 3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2260	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	660 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	35,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR3	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار SSD ToolBox نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی S750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	96Layer 3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	HP H6578	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	74,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 2.2 وات هنگام استفاده و 40 میلی‌وات در حالت استندبای	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 3G لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	ضخامت 6.7 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	50 گرم	6 گرم
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ام جی VS ام جی

ویژگی	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کورسیر MP600 CORE XT M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Corsair VS ام جی

ویژگی	کورسیر MP600 CORE XT M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
وزن محصول	340 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	-	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS ام جی

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	InnoGrit IG5236	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	740,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک آلومینیومی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار SSD ToolBox	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	-
اندازه و ابعاد	15 * 25.2 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	34 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	2Ch	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	320 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 40 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	41 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ام جی

ویژگی	اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	HP Custom SMI SM2263XT	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.52 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM	-
اندازه و ابعاد	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	کینگستون A2000 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SMI SM2263EN	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.7 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن 80 میلی‌وات به صورت میانگین 3.2 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	TCG Opal, XTS-AES 256-bit, eDrive	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال و غیرفعال	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, VCCI, FCC, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.8 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM S270 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

msi VS ام جی

ویژگی	ام اس آی SPATIUM S270 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	PHISON S11	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	360 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	72,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 40 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.8 وات * حالت استفاده ** 325 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 ميلي‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کداک X100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کداک VS ام جی

ویژگی	کداک X100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	عرضه شده با دو کنترلر SMI یا Phison	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز XP و بالاتر مک OS نسخه 8.6 و بالاتر لینوکس 2.6 و بالاتر ** کروم OS	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی مقاوم * برابر ضربه ** مقاوم * برابر لرزش	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
مواد بدنه	فلز	-
رنگ‌بندی	زرد	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اپیسر AST280 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Acer VS ام جی

ویژگی	اپیسر AST280 SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	500 MB	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	470 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	23,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	1.35 وات * حالت فعال ** 0.3 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI	-
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.3 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	515 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	490 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
اندازه و ابعاد	6.3 * 69.85 * 99 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه

مشاهده جزئیات مقایسه