1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگ مکس VS ام جی
ویژگی

کینگ مکس PX3280 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 110,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 6 گرم
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ام جی
ویژگی

اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM3350 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 380 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 110 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 6,500IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 10,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.8 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 1 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک ** ان*وید ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه ** قابل نگهداری و استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 *صد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS -
مواد بدنه آلومینیوم -
رنگ‌بندی مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز -
اندازه و ابعاد 10 * 53.9 * 79.1 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45.4 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ام جی VS خودروسازی دی اس
ویژگی

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

وسترن دیجیتال Green WDS240G1G0B SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 850 مگابایت بر ثانیه 465 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 68,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTBF)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 6.51 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
میزان توان مصرفی - 0.05 وات * حالت فعال ** 2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اچ پی VS ام جی
ویژگی

او سی پی سی HP NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد - 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ام جی
ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.1 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار SSD Tool Box الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگ مکس VS ام جی
ویژگی

کینگ مکس KM31 SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 64 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 415 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 95 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,200,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.5 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS ام جی
ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 512 (TBW) ترابایت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.5 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ نوشتن ترتیبی - 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ام جی
ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سن دیسک Extreme Pro USB 3.1 Gen 2x2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سن دیسک Extreme Pro USB 3.1 Gen 2x2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سن دیسک Extreme Pro USB 3.1 Gen 2x2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سن‌دیسک VS ام جی
ویژگی

سن دیسک Extreme Pro USB 3.1 Gen 2x2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری 256bit AES AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت‌های جانبی سازگار با اپلیکیشن SanDisk Memory Zone ** دارای گواهینامه IP65 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS -
مواد بدنه آلومینیوم و سیلیکون -
اندازه و ابعاد 10.16 * 57.4 * 110.23 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 77.5 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محتویات جعبه کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اسکو VS ام جی
ویژگی

اسکو ON900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) NVMe 1.3 Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2600 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 400 (TBW) ترابایت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها FC, CE -
اندازه و ابعاد 4.1 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS ام جی
ویژگی

لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L TLC NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR3 NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 240 (TBW) ترابایت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

داهوا VS ام جی
ویژگی

داهوا C800A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 1.6 وات هنگام استفاده ** 510 میلی‌وات * حالت استندبای -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.2 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 40 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه