مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ام جی VS Sandisk

ویژگی	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع کاربری حافظه	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Pyrite	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

KingSpec VS ام جی

ویژگی		تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	Phison E12
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	M.2 2280	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
نرخ نوشتن ترتیبی	-	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
وزن محصول	-	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی		تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	SSD داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	بله	true
محدوده دمای عملیاتی	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis Controller	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	200,000IOPS
طول عمر متوسط	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	بله	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
فناوری رمزنگاری	رمزگذاری AES 256 بیتی	AES 256-bit, TCG Pyrite
رنگ‌بندی	سیاه	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	تقریباً 8.0 گرم	6 گرم
محتویات جعبه	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
میزان توان مصرفی	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO	-
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Crucial VS ام جی

ویژگی		تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen4 x4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,100 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,000 مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron G8 NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
اندازه و ابعاد	M.2 2280	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	256 MB
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
وزن محصول	-	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی		تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	حافظه فلش NAND	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال	NVMe	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7150 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	آخرین حافظه NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	کنترلر با روکش نیکل	Phison E12
سیستم‌عامل‌های سازگار	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
فناوری رمزنگاری		AES 256-bit, TCG Pyrite
اندازه و ابعاد	M.2 2280	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
میزان توان مصرفی	کارآمد	-
نرخ نوشتن ترتیبی	-	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
وزن محصول	-	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۶ گرم	6 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون VS ام جی

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG Pyrite
میزان ظرفیت حافظه	۷.۶۸ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۰۰۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۵۱.۳ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کلیو VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG Pyrite
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۰ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS ام جی

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	6 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سی‌گیت VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D cMLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۵۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	6 گرم
رنگ‌بندی	Black, Green	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	850 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پردیتور VS ام جی

ویژگی	SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۲۵۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۷۴۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷ گرم	6 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120 {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120با تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سی‌گیت VS ام جی

ویژگی	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۰۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۵۰ گرم	6 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه