1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0) با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0) با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0) با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0) با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Micron 96L 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی - 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Micron 96L 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی - 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لنوو VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فیلیپس VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000 با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سی‌گیت VS ام جی
ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D cMLC Micron 96L 3D TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۴۵۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴ گرم 6 گرم
رنگ‌بندی Black, Green -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی - 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 6 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ام جی
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
VS
مقایسه تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

مقایسه تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ام جی VS ایکس‌پی‌جی
ویژگی

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND ۳D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1400 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) ۲۵۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول 6 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه