مقایسه تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

برند نامشخص VS ام جی
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 6 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 1 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۵۰ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350Sبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۵ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۹۵۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۱۲ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲۰۵ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Micron 96L 3D TLC NAND
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 6 گرم
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 200,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 6 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false