صفحه 6 از مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	340,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 2.5 آمپر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS اس کی هاینیکس

ویژگی	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3900 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Crucial VS اس کی هاینیکس

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	340,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 2.5 آمپر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس

ویژگی	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	100.000IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90.000IOPS	340,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت / 2.5 آمپر
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا VS اس کی هاینیکس

ویژگی	ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	460 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 35 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت / 2.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 8 و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, CE, KC, EAC, RoHS	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
رنگ‌بندی	مشکی، سفید	-
اندازه و ابعاد	9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	false
محتویات جعبه	کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C تبدیل USB Type-A به USB Type-C دفترچه راهنما	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	340,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت / 2.5 آمپر
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور VS اس کی هاینیکس

ویژگی	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
مواد بدنه	پلاستیک	-
اندازه و ابعاد	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	46 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-A	-
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS اس کی هاینیکس

ویژگی	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4300 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت VS اس کی هاینیکس

ویژگی	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	340,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
اندازه و ابعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	47 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 2.5 آمپر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS اس کی هاینیکس

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Crucial VS اس کی هاینیکس

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
اندازه و ابعاد	7 * 95 * 125 میلی‌متر	2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	340,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه