1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال
  7. صفحه 5

صفحه 5 از مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS اس کی هاینیکس
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت / 2.5 آمپر
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کلیو VS اس کی هاینیکس
ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS 340,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۰ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لنوو VS اس کی هاینیکس
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 340,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی - 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال 135397
VS
مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با SSD اینترنال 135397

مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال 135397

Crucial VS اس کی هاینیکس
ویژگی

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال 135397

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 256 MB
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS اس کی هاینیکس
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ -
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کینگستون VS اس کی هاینیکس
ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۴۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
VS
مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

اس کی هاینیکس VS ایکس‌پی‌جی
ویژگی

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 2.5 آمپر -
میزان توان مصرفی حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D NAND
طول عمر متوسط - ۲۵۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس
ویژگی

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6 Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 25,000IOPS 340,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
میزان توان مصرفی 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
اندازه و ابعاد - 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور VS اس کی هاینیکس
ویژگی

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
اندازه و ابعاد - 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس
ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Samsung MGX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 340,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس
ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 340,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC -
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 340,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت / 2.5 آمپر
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه