صفحه 5 از مقایسه سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	650,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	QLC	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۸۸۰۰۰ IOPS	650,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۴۶ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

سیلیکون پاور VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D QLC NAND	۳D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12S	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)	۲۵۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰ IOPS	650,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	۲.۵"	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۵۸ گرم	8 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای‌دیتا VS سیلیکون پاور

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	650,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۲ گرم	8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۲۰۰	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	650,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	8 گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	650,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

سیلیکون پاور VS بلو

ویژگی	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96-Layer 3D QLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12S	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	81,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	DDR3L	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
میزان توان مصرفی	-	52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SAS 12.0 Gbps	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	3.84 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller)	Native SAS 3.0	Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	650,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
وزن محصول	160 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیگیت VS سیلیکون پاور

ویژگی	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	7300 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	650,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	47 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور VS سیلیکون پاور

ویژگی	سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SLC NAND	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	650,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller)	Phoenix	Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	650,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	DDR3L
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	20 گرم	8 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه