مقایسه سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) Phoenix Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS 650,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم 8 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 650,000IOPS
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد - 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد - 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 360 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 63 گرم 8 گرم
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 650,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس ویندوز 8.1 و بالاتر
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100.000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 650,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 51 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مقایسه پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6850 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی) 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی) 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D QLC NAND Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) DM928 Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1.6 آمپر -
طول عمر متوسط 168 (TBW) ترابایت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI,RCM CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 650,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 DDR3L
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مقایسه سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96-Layer 3D QLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E12S -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TWB)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 8.1 و بالاتر ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** پشتیبانی از کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 96-Layer 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12S
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 650,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور UD70 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Micron 96-Layer 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 650,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 530 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس ویندوز 8.1 و بالاتر
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC