صفحه 3 از مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۷۰۰۰ IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۱۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1655 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1655 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۳ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
اندازه و ابعاد	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹ گرم	8 گرم
محتویات جعبه	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور

ویژگی	SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
وزن محصول	۳۴.۴ گرم	8 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه	HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	-	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1655 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1655 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135397

سیلیکون پاور VS Crucial

ویژگی	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال 135397
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	NVMe PCIe Gen4 x4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS3 64L TLC	Micron G8 NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	تا 7,100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	تا 6,000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1655 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 2280
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	PCIe Gen4 NVMe
محتویات جعبه	-	مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135396

سیلیکون پاور VS Samsung

ویژگی	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال 135396
نوع کاربری حافظه	اینترنال	SSD داخلی
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS3 64L TLC	Samsung V-NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM	true	بله
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1655 (TBW) ترابایت	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	بله
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	بله
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	تقریباً 8.0 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
فناوری رمزنگاری	-	رمزگذاری AES 256 بیتی
رنگ‌بندی	-	سیاه
محتویات جعبه	-	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
میزان توان مصرفی	-	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال 135398

سیلیکون پاور VS Samsung

ویژگی	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	SSD اینترنال 135398
نوع کاربری حافظه	اینترنال	حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS3 64L TLC	آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller)	Phison E12	کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1655 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 2280
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
شیوه اتصال	-	NVMe
فناوری رمزنگاری	-
محتویات جعبه	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
میزان توان مصرفی	-	کارآمد

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سی‌گیت VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D cMLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۵۰۰۰ IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1655 (TBW) ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	8 گرم
رنگ‌بندی	Black, Green	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	-	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون VS سیلیکون پاور

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	1655 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

برند نامشخص VS سیلیکون پاور

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1655 (TBW) ترابایت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه