1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه ای دیتا XPG SX850 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG SX850 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا XPG SX850 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سیلیکون پاور
ویژگی

ای دیتا XPG SX850 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) SMI Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 300 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 47.5 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سیلیکون پاور
ویژگی

گیگابایت M30 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2600 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 302,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR3L DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 350 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن ** 3 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD Tool box پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, UKCA, KC, EAC CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور
ویژگی

اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) HP Custom SMI SM2263XT Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 2150 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1815 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 3.55 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ MZVLB512HAJQ PM981 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ MZVLB512HAJQ PM981 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ MZVLB512HAJQ PM981 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سیلیکون پاور
ویژگی

سامسونگ MZVLB512HAJQ PM981 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 64-Layer TLC 3D V-NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Samsung Polaris V2 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 270,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 420,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/1.0 میلی‌ثانیه ** بهینه ساز مصرف انرژی APST, L1.2 پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 1655 (TBW) ترابایت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Digital WD_BLACK D30 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Digital WD_BLACK D30 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Digital WD_BLACK D30 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

سیلیکون پاور VS وسترن دیجیتال
ویژگی

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Digital WD_BLACK D30 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS3 64L TLC -
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1655 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 8.1 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ویندوز 8.1 به بعد ** مک OS نسخه 10 و بالاتر ** پلی‌استیشن 4 و پلی‌استیشن 4 پرو ** پلی‌استیشن 5 ** ایکس‌باکس وان ** ایکس‌باکس سری X و S
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر با استند : 45.9 * 60.5 * 96 میلی‌متر ** بدون استند : 35 * 58 * 96 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم با استند : 137 گرم ** بدون استند : 125 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اینتل VS سیلیکون پاور
ویژگی

اینتل SSD 665p Series NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 96L QLC Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263EN Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1925 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR3L DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 0.1 وات * حالت فعال ** 0.04 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا XPG SX8100 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG SX8100 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا XPG SX8100 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سیلیکون پاور
ویژگی

ای دیتا XPG SX8100 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Realtek RTS5762 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 140,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, RCM, KC, Morocco CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کلو CRAS C920 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کلو CRAS C920 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کلو CRAS C920 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کلو VS سیلیکون پاور
ویژگی

کلو CRAS C920 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Phison Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true true
طول عمر متوسط 700 (TBW) ترابایت 1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS سیلیکون پاور
ویژگی

ای دیتا Falcon NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) Realtek RTS5762DL Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد 2.9 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 8 گرم
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگستون VS سیلیکون پاور
ویژگی

کینگستون NV1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 480 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 1.1 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 0.005 * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS سیلیکون پاور
ویژگی

ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) PHISON E16 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
وزن محصول - 8 گرم
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اچ پی VS سیلیکون پاور
ویژگی

اچ پی S650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 50,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 71,000IOPS 600,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW) 1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6ms پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RCM CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
مواد بدنه آلومینیوم -
اندازه و ابعاد 6.7 * 70 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 50 گرم 8 گرم
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه