مقایسه سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D QLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 260 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 10 * 80 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100.000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90.000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC
اندازه و ابعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 47 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100.000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 51 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 46 گرم 8 گرم
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7250 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC
اندازه و ابعاد 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 47 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 525 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 81,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی - 52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8.3 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SandForce 2281 -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور A80 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 256 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
نرخ نوشتن ترتیبی - 2300 مگابایت بر ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC