مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES-256 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18-41 Samsung Elpis

مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES-256 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) PS5018-E18-41 SMI SM2262EN

مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES-256 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 7.7 گرم 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 510,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
کنترلر (Controller) PS5018-E18-41 Silicon Motion SM2267EN

مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES-256 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18-41 Samsung Elpis

مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES-256 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 7.7 گرم 60 گرم
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) PS5018-E18-41 Maxio Technology MAS0902A

مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES-256 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18-41 Samsung Phoenix

مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
فناوری رمزنگاری AES-256 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم 31 گرم
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18-41 -

مقایسه سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES-256
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.7 گرم
میزان توان مصرفی 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC 3D TLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Controller PS5018-E18-41

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES-256
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.7 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND 3D TLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3 -
کنترلر (Controller) SMI SM2262EN PS5018-E18-41

مقایسه ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES-256
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 13.4 گرم 7.7 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 210,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - PS5018-E18-41

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES-256
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.7 گرم
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix PS5018-E18-41

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES-256
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) 2.23 * 22.15 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک) 7.7 گرم
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - PS5018-E18-41