مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه با اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 -
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND ۳D eTLC
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان ظرفیت حافظه - ۱.۶ ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۰۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه با اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

نوع کاربری حافظه حافظه فلش NAND اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2 -
شیوه اتصال NVMe -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۶ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7150 مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) آخرین حافظه NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) کنترلر با روکش نیکل -
سیستم‌عامل‌های سازگار کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ -
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 -
فناوری رمزنگاری Yes
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان توان مصرفی کارآمد -
نرخ نوشتن ترتیبی - ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۰۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۶۵ گرم

مقایسه با اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

نوع کاربری حافظه SSD داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 NVMe -
شیوه اتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱.۶ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,450 مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,900 مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM بله -
محدوده دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Controller -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۲۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ بله -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5 -
فناوری رمزنگاری رمزگذاری AES 256 بیتی Yes
رنگ‌بندی سیاه -
اندازه و ابعاد M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول تقریباً 8.0 گرم ۱۶۵ گرم
محتویات جعبه SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان توان مصرفی عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه با اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 -
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت ۱.۶ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) ۳D eTLC
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
نرخ نوشتن ترتیبی - ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۰۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS ۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS ۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۱۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۵ V
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۱۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SAS
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۱.۶ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۲۵۰۰۰ IOPS ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۷۴۰۰۰ IOPS ۲۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول ۷ گرم ۱۶۵ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۲۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۷ گرم ۱۶۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

اس اس دی اینترنال سیگیت اینترپرایز نیترو 3732

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱.۶ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۲۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۱۶۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۲۴۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۲۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۵ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۱۶۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SAS
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال