صفحه 3 از مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۴ گرم ۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طول عمر متوسط - ۱۱۷۰
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS RoHS
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
طول عمر متوسط - ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۵۰ گرم

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ ۱۱۷۰
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA RoHS
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۵۰ گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) PHISON E19T -
نرخ خواندن ترتیبی 3600 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) ۱۱۷۰
میزان توان مصرفی حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم ۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۱۷۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۵۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۱۷۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر) -
وزن محصول ۵۰ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, cTUVus, RoHS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۲ گرم ۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA RoHS
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۳ گرم ۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۵۸ گرم ۵۰ گرم
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D TLC
طول عمر متوسط - ۱۱۷۰
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS