مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120با WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۱۷۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۵۰ گرم -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی -
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
طراحی و ابعاد دستگاه -

مقایسه با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

نوع کاربری حافظه حافظه فلش NAND اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2 -
شیوه اتصال NVMe -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7150 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) آخرین حافظه NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) کنترلر با روکش نیکل -
سیستم‌عامل‌های سازگار کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ -
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 -
فناوری رمزنگاری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان توان مصرفی کارآمد -
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۵۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

نوع کاربری حافظه SSD داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 NVMe -
شیوه اتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,450 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,900 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM بله -
محدوده دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Samsung Elpis Controller -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است) ۱۱۷۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ بله -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5 -
فناوری رمزنگاری رمزگذاری AES 256 بیتی -
رنگ‌بندی سیاه -
اندازه و ابعاد M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول تقریباً 8.0 گرم ۵۰ گرم
محتویات جعبه SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان توان مصرفی عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 -
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND ۳D TLC
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
میزان ظرفیت حافظه - ۲ ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۵۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

نوع کاربری حافظه درایو حالت جامد داخلی اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 2280 Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe Gen3x4 -
شیوه اتصال NVMe Gen3x4 -
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت ۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی تا 2400 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC) ۳D TLC
کنترلر (Controller) کنترلر اصلی با کیفیت بالا -
قابلیت پشتیبانی از TRIM بله true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T بله true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
قابلیت‌های جانبی تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
محتویات جعبه SSD، مستندات -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 -
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۱۱۷۰
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D TLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۱۱۷۰
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۱۱۷۰
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

برند نامشخص VS سی‌گیت
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ ۱۱۷۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۵۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS RoHS
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

برند نامشخص VS سی‌گیت
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۱۱۷۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۵۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS RoHS
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC ۳D TLC
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم ۵۰ گرم
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه - Serial ATA III
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

اس اس دی اینترنال سیگیت BarraCuda 120

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۱۷۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۵۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS