صفحه 5 از مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 240 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عاملبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی امن iStorage diskAshur M² 240 گیگابایت - FIPS 140-3 L3، مستقل از سیستم‌عامل

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۴۵ * ۱۲ * ۱۱۱ میلی‌متر) 17 * 40 * 95 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی -
وزن محصول ۸۶ گرم 102 گرم
میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 8 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۳۷۰ مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۷۰ مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
پورت اتصال حافظه ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱) -
نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
مواد بدنه Zinc -
مجوزها و تاییدیه‌ها C-TICK, CE, Federal Communications Commission (FCC), REACH, RoHS, Trade Agreements Act (TAA), UKCA, WEEE CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES-XTS AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
مشخصات حافظه فلش (Flash) - NAND
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی - سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
نشانگر وضعیت LED - true
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا اس اس دی اکسترنال ورباتیم Pocket USB 3.2 Gen 2 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

اس اس دی اکسترنال ورباتیم Pocket USB 3.2 Gen 2 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد تا۱۰ تا ۵۹ درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit No
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر M.2 (۴۵.۱ * ۹۶.۱ * ۱۰ میلی‌متر)
وزن محصول 102 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED true -
محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما -
رنگ‌بندی - Blue, White
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No
پورت اتصال حافظه - ۳.۲ Gen ۲ (۳.۱ Gen ۲)
مواد بدنه - Polycarbonate (PC)

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

اس‌اس‌دی اکسترنال سیگیت STJE500402

نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت ۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر ۵۵.۵ * ۱۰ * ۷۵ میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم ۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED true -
محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - ۳.۲ Gen ۱ (۳.۱ Gen ۱)
مواد بدنه - Plastic
رنگ‌بندی - سفید

مقایسه پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7500 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6850 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
اندازه و ابعاد 20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی) 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی) 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS RoHS
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4300 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D QLC NAND NAND
کنترلر (Controller) DM928 -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1.6 آمپر -
طول عمر متوسط 168 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI,RCM CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
نرخ نوشتن ترتیبی - 460 مگابایت بر ثانیه
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 AES 256-bit
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی - سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر Windows, macOS, Android
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
قابلیت‌های جانبی - سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
اندازه و ابعاد 7 * 95 * 125 میلی‌متر 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی - سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3900 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 8 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 1GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 AES 256-bit
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 17 * 40 * 95 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 102 گرم
نشانگر وضعیت LED false true
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
قابلیت‌های جانبی - سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما