صفحه 3 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

وزن محصول ۱۶۴ گرم ۹۰ گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
پورت اتصال حافظه - PCI Express ۴.۰
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
میزان ظرفیت حافظه - ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3با SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۵۰۰۰۰ IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۳۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۱۲ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۹۰ گرم ۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۹۰ گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۴۸۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۵۸ گرم ۹۰ گرم
رنگ‌بندی مشکی -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND TLC
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

برند نامشخص VS سامسونگ
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۹۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
فناوری رمزنگاری - Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۶ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۴۰ ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۸ گرم ۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V