مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3 {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3با WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونگ VS Sandisk

ویژگی	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۵۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۳۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۱۲ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹۰ گرم	-
شیوه اتصال	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-
قابلیت‌های جانبی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

Crucial VS سامسونگ

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen4 x4	Yes
شیوه اتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,100 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,000 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron G8 NAND	V-NAND TLC
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
میزان ظرفیت حافظه	-	۹۶۰ گیگابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

KingSpec VS سامسونگ

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	Yes
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

Samsung VS سامسونگ

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	SSD داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 NVMe	Yes
شیوه اتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	بله	-
محدوده دمای عملیاتی	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis Controller	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	بله	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5	-
فناوری رمزنگاری	رمزگذاری AES 256 بیتی	Yes
رنگ‌بندی	سیاه	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	تقریباً 8.0 گرم	۹۰ گرم
محتویات جعبه	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
میزان توان مصرفی	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

Samsung VS سامسونگ

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	حافظه فلش NAND	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2	Yes
شیوه اتصال	NVMe	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7150 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	آخرین حافظه NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	کنترلر با روکش نیکل	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ	-
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	-
فناوری رمزنگاری		Yes
اندازه و ابعاد	M.2 2280	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
میزان توان مصرفی	کارآمد	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung TLC V-NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	S4LV003	-
نرخ خواندن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	800,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۱۲ V
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۹۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۹۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
وزن محصول	-	۹۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۹۶۰ گیگابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۶.۵ گرم	۹۰ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه