مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC
کنترلر (Controller) -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
میزان توان مصرفی -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
فناوری رمزنگاری - Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC
کنترلر (Controller) -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
فناوری رمزنگاری Yes
رنگ‌بندی -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۹۰ گرم
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
میزان توان مصرفی -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC
کنترلر (Controller) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
فناوری رمزنگاری - Yes
نرخ نوشتن ترتیبی - ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۹۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۱۲ V
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۹۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E18 -
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری AES 256bit Yes
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 9.7 گرم ۹۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3با توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۵۰۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۳۰۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۱۲ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۹۰ گرم -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
فناوری رمزنگاری - Yes
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۹۰ گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

حافظه SSD اینترنال سامسونگ PM9A3

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۶۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۲۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۸۵۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS ۱۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.5" (۱۰۰.۲ * ۶۹.۸ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۱۲ V
وزن محصول - ۹۰ گرم