| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 512 MB | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung TLC V-NAND | Micron 3D TLC NAND |
| کنترلر (Controller) | S4LV003 | SMI |
| نرخ خواندن ترتیبی | 6900 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه | 3080 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 800,000IOPS | 260,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 800,000IOPS | 270,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | - | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 3.3 ولت |
| طول عمر متوسط | - | 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW) |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
| سیستمعاملهای سازگار | - | ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر |
| قابلیتهای جانبی | - | قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه |
| مجوزها و تاییدیهها | RoHS | CE, FCC, cTUVus, RoHS |
|---|
| اندازه و ابعاد | 2.38 * 22 * 80 میلیمتر | - |
|---|
| نشانگر وضعیت LED | - | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده