صفحه 9 از مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 400,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد - 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6 گرم

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
اندازه و ابعاد - 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 120 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
مواد بدنه - فلز
رنگ‌بندی - مشکی، طلایی

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 120 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC NAND
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد - 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 63 گرم

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 85,000ّIOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller) - Marvell 88SS1074
نوع حافظه DRAM - DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
اندازه و ابعاد - 7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول - 37.4 گرم

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 480 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1.92 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه - پلاستیک
اندازه و ابعاد - 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 46 گرم
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 80,000IOPS
حافظه DRAM false true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2258
نوع حافظه DRAM - DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 48-Layer MLC V-NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 220,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2GB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.6 آمپر

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 128 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 100,000IOPS
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6 گرم

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2050 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.6 آمپر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
اندازه و ابعاد - 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول - 47 گرم