صفحه 8 از مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	220,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.6 آمپر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Samsung VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2050 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	170,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1.6 آمپر	2.8 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	7.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung VS بلو

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2050 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	90,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	82,000ّIOPS
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1.6 آمپر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	-	4.8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	6.6 گرم	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.6 آمپر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ویکومن

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2050 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1.6 آمپر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز (7،8،8.1،10) مک OS لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	-	10 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	100 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2050 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1.6 آمپر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1655 (TBW) ترابایت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 48-Layer MLC V-NAND	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	220,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8.3 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.6 آمپر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 48-Layer MLC V-NAND	-
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	-
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	440,000IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	220,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8.5 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.6 آمپر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت	تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2050 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1.6 آمپر	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	-	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

Samsung VS سیگیت

ویژگی	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2242	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2050 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	64,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1.6 آمپر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
اندازه و ابعاد	-	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	-	47 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار VS Samsung

ویژگی	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D QLC NAND	-
کنترلر (Controller)	DM928	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2050 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 1.6 آمپر	3.3 ولت / 1.6 آمپر
طول عمر متوسط	336 (TBW) ترابایت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI,RCM	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	-
وزن محصول	34 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ PM991 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	2050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	220,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت / 1.6 آمپر
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	-
وزن محصول	46 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه