صفحه 3 از مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) -
وزن محصول ۷.۳ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۱.۹۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 64,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D cMLC
طول عمر متوسط - ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد - M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول - ۱۴ گرم
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ -
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) -
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 128 MB
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) -
وزن محصول ۶.۵ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 128 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" -
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 128 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" -
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) -
وزن محصول ۷.۷ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS 220,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) -
وزن محصول ۱۲ گرم -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

سامسونگ PM991 NVMe M.2 2280 ظرفیت 128 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت / 1 آمپر
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) -
وزن محصول ۷.۵ گرم -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 64,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false