صفحه 6 از مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

در این صفحه 5 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC V-NAND TLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
نرخ خواندن ترتیبی - ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۷۰ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

فناوری رمزنگاری Yes ۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) QLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۵ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول ۴۶ گرم ۷۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۱۴ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893با اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V ۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893با SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

فناوری رمزنگاری ۲۵۶-bit AES -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۷۰ گرم ۴۰ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III Serial ATA III
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS