مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه		اینترنال
پورت اتصال حافظه		Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی		-
شیوه اتصال		-
میزان ظرفیت حافظه		۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی		۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی		۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM		-
محدوده دمای عملیاتی		۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)		V-NAND TLC
کنترلر (Controller)		-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها		۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها		۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط		۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		true
سیستم‌عامل‌های سازگار		-
قابلیت‌های جانبی		-
فناوری رمزنگاری		۲۵۶-bit AES
رنگ‌بندی		-
اندازه و ابعاد		2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول		۷۰ گرم
محتویات جعبه		-
طراحی و ابعاد دستگاه		-
میزان توان مصرفی		-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

KingSpec VS سامسونگ

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه		اینترنال
پورت اتصال حافظه		Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی		-
شیوه اتصال		-
میزان ظرفیت حافظه		۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی		۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)		V-NAND TLC
کنترلر (Controller)		-
قابلیت پشتیبانی از TRIM		true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T		true
سیستم‌عامل‌های سازگار		-
قابلیت‌های جانبی		-
اندازه و ابعاد		2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه		-
طراحی و ابعاد دستگاه		-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۷۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

Samsung VS سامسونگ

ویژگی		حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه		اینترنال
پورت اتصال حافظه		Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی		-
شیوه اتصال		-
میزان ظرفیت حافظه		۹۶۰ گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی		۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی		۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)		V-NAND TLC
کنترلر (Controller)		-
سیستم‌عامل‌های سازگار		-
قابلیت‌های جانبی		-
اندازه و ابعاد		2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
محتویات جعبه		-
طراحی و ابعاد دستگاه		-
میزان توان مصرفی		-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۷۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
طول عمر متوسط	-	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۷۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۷۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۷۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۵ V
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E21T	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	950,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V
وزن محصول	-	۷۰ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	۲۵۶-bit AES
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893با سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	۲۵۶-bit AES	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۸۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	-
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893$

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893

برند نامشخص VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	حافظه SSD اینترنال سامسونگ مدل PM893
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.5" (۱۰۰ * ۶.۸ * ۶۹.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۵ گرم	۷۰ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
فناوری رمزنگاری	-	۲۵۶-bit AES
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۳۰۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه