صفحه 13 از مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung TLC V-NAND
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 10.9 * 57.15 * 63.5 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
نرخ خواندن ترتیبی - 890 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 880 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, REACH, RoHS
مواد بدنه - آلومینیوم
محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل mSATA
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D MLC NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 41 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ خواندن ترتیبی - 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 560 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی - منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ خواندن ترتیبی - 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 550 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 174 ترابایت (TBW)

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Flash
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ خواندن ترتیبی - 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 700,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی - دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی - 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 950,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی - 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 3.5 وات در حالت فعال
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 3D TLC NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر -
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI
نرخ خواندن ترتیبی - 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
وزن محصول 30 گرم 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - MAP1202
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
رنگ‌بندی - آبی

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND Flash
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ خواندن ترتیبی - 1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 180,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box