صفحه 12 از مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D TLC NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر -
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ خواندن ترتیبی - 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 320,000IOPS

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ خواندن ترتیبی - 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 120,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 200 (TBW) ترابایت
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC THGDU3B-1D03 3D NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی - 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
نرخ خواندن ترتیبی - 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه - پلاستیک
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل mSATA
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC TLC
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر -
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ نوشتن ترتیبی - 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 550 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7، 8، 10 ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - استاندارهای FCC , CE , ROHS

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر -
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر -
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ خواندن ترتیبی - 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 440 مگابایت بر ثانیه
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
مواد بدنه - فلز
رنگ‌بندی - مشکی، طلایی

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Micron 64L TLC NAND
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 MB Micron DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC -
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
قابلیت‌های جانبی - سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی

مقایسه کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC SLC
حافظه DRAM false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ خواندن ترتیبی - 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 59,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
حافظه DRAM false true
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 30 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی - 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90.000IOPS
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667