صفحه 6 از مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS80NPFبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS80NPF

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۸۰۰ گیگابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۶۵ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS16NPFبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS16NPF

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۶ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۶۵ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال CoreParts مدل CP-SSD-M2-TLC-2242-512با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال CoreParts مدل CP-SSD-M2-TLC-2242-512

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
وزن محصول ۶۰ گرم 9 گرم
اندازه و ابعاد ۷۰ * ۱۲۰ * ۳۰ میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال کورپارتس SSDM120I555با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال کورپارتس SSDM120I555

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۲۰ گیگابایت 4 ترابایت
وزن محصول ۱۵۰ گرم 9 گرم
اندازه و ابعاد ۹۰ * ۳۰ * ۱۸۰ میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال CoreParts MSD-PA25.6-064MSبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال CoreParts MSD-PA25.6-064MS

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۶۴ گیگابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۵۴ * ۱۱۸ * ۲۳ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷۰ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه IDE PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال CoreParts MHA-MSATA-512GBبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال CoreParts MHA-MSATA-512GB

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 4 ترابایت
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۴۲ * ۳.۲ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۰ گرم 9 گرم
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال CoreParts SSDM256I856با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال CoreParts SSDM256I856

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۲۸ گیگابایت 4 ترابایت
وزن محصول ۲۰۰ گرم 9 گرم
اندازه و ابعاد ۹۰ * ۳۰ * ۱۸۰ میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه CoreParts MS-SSD-64GB-026 SSD اینترنالبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

CoreParts MS-SSD-64GB-026 SSD اینترنال

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۶۴ گیگابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد M.2 (۹۰ * ۱۰ * ۳۰ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹۰ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه CoreParts MS-SSD-8TB-020 SSD اینترنالبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

CoreParts MS-SSD-8TB-020 SSD اینترنال

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۸ ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۲۰ * ۳۰ * ۸۰ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹۰ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال CoreParts MSD-ZF18.6-016MSبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال CoreParts MSD-ZF18.6-016MS

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱۶ گیگابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد 1.8" (۱۵۲ * ۱۸ * ۱۱۸ میلی‌متر) 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۰ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه ZIF PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال فوجیستو مدل S26361-F5673-L240با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال فوجیستو مدل S26361-F5673-L240

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 4 ترابایت
اندازه و ابعاد ۳.۵" 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال فوجیستو S26361-F4582-L32با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال فوجیستو S26361-F4582-L32

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳۲ گیگابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) SLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA II PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی - 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
حافظه DRAM - true
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false