صفحه 5 از مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا SSD اینترنال 135396

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	SSD اینترنال 135396
نوع کاربری حافظه	SSD داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 NVMe	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
شیوه اتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	بله	true
محدوده دمای عملیاتی	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis Controller	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	بله	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
فناوری رمزنگاری	رمزگذاری AES 256 بیتی	-
رنگ‌بندی	سیاه	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	تقریباً 8.0 گرم	9 گرم
محتویات جعبه	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	2280 M.2
میزان توان مصرفی	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه CoreParts MS-SSD-512GB-003 SSD اینترنالبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کورپارتس VS Samsung

ویژگی	CoreParts MS-SSD-512GB-003 SSD اینترنال	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۲۰ * ۳۰ * ۸۰ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹۰ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اینترنال CoreParts MS-SSD-64GB-021با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کورپارتس VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اینترنال CoreParts MS-SSD-64GB-021	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۶۴ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد	mSATA (۳۰ * ۱۰ * ۹۰ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹۰ گرم	9 گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال CoreParts CP-SSD 2.5 اینچ MLC 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کورپارتس VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال CoreParts CP-SSD 2.5 اینچ MLC 512 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۲۰ * ۳۰ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۶۰ گرم	9 گرم
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال CoreParts SSDM480I363با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

کورپارتس VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال CoreParts SSDM480I363	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴۸۰ گیگابایت	4 ترابایت
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
وزن محصول	۲۰۰ گرم	9 گرم
اندازه و ابعاد	۹۰ * ۳۰ * ۱۸۰ میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال فوجیستو PY-TS16NPFبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فوجیتسو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال فوجیستو PY-TS16NPF	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد	۳.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال فوجیستو PY-TS32NPFبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فوجیتسو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال فوجیستو PY-TS32NPF	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۲ ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد	۳.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5298-L200با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فوجیتسو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5298-L200	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۰۰ گیگابایت	4 ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5298-L160با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فوجیتسو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال Fujitsu S26361-F5298-L160	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	4 ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS19NNHبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فوجیتسو VS Samsung

ویژگی	حافظه SSD اینترنال فوجیتسو مدل PY-SS19NNH	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۶۵ گرم	9 گرم
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال فوجیستو S26361-F5670-L480با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فوجیتسو VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال فوجیستو S26361-F5670-L480	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۴۸۰ گیگابایت	4 ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال فوجیتسو مدل S26361-F4541-L200با سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فوجیتسو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال فوجیتسو مدل S26361-F4541-L200	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۰۰ گیگابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
وزن محصول	-	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه