صفحه 13 از مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 370,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM 1 MB Micron DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle 6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM 2 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller SMI
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 230,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle 3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 1,550,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND Flash
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 180,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND Flash
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller PHISON E21T
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D MLC NAND
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 41 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC SLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 59,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle 1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 2 گیگابایت از نوع SDRAM 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667