صفحه 11 از مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ترنسند SSD370S SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	MLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Transcend TS6500
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	70,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	512 MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	مقاوم * برابر لرزش و ضربه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	57 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	DDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS ترنسند

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت / 1.5 آمپر
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ایکس انرژی

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	9 گرم	35 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS دی شیشو

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	استاندارهای FCC , CE , ROHS
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	9 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7، 8، 10 مک OS لینوکس

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	63 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه	-	پلاستیک
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS اس کی هاینیکس

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ویکومن

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	55 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	ASMedia ASM2364
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 35 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	14 * 62 * 118 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر مک OS نسخه 10.11 و بالاتر پلی‌استیشن 5 پلی‌استیشن 4 پرو پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ایکس باکس سری S و X ایکس باکس وان
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung in-house Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	7450 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2 گیگابایت از نوع SDRAM	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8.5 وات * حالت استفاده ** 5 میلی‌وات * حالت Sleep ** 55 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه