صفحه 6 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۷۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۱۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۷۰ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۴ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۷ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کینگ مکس VS سامسونگ

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	۳.۳ V
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۸ گرم	۹ گرم
رنگ‌بندی	مشکی	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۱۴ گرم
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹ گرم	9 گرم
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung in-house Controller
حافظه DRAM	-	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه