صفحه 7 از مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی	ایسوس ROG Strix ARION USB 3.2 Gen 2x1 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2	M.2 22110
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 40 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 به بالا Mac OS X 10.6 به بالا ان*وید (دستگاه‌های دارای OTG)	-
قابلیت‌های جانبی	سرعت انتقال داده تا 10 گیگابیت بر ثانیه پشتیبانی از SSD با فرم فکتورهای 2230/2242/2260/2280 دارای نگهدارنده با قلاب R شکل به منظور حمل آسان ** دارای نورپردازی ARGB با پشتیبانی از فناوری ASUS Aura Sync و ROG Strix Arion	-
مواد بدنه	آلومینیوم	-
اندازه و ابعاد	10.9 * 47.7 * 124.5 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	98 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	true	-
محتویات جعبه	کابل USB-C به USB-A کابل USB-C به USB-C پین اجکتور ** دفترچه راهنما	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه امتک X150 Power Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

امتک VS Samsung

ویژگی	امتک X150 Power Plus SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	55,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	65,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان بهینه ساز مصرف انرژی	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS Sandisk

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	سن‌ دیسک PRO-G40 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	-
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 35 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	12 * 58 * 111 میلی‌متر
وزن محصول	20 گرم	121.2 گرم
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 10 به بالا ** مک OS 10.13 به بالا
مواد بدنه	-	آلومینیوم
نشانگر وضعیت LED	-	true
محتویات جعبه	-	کابل Thunderbolt 3 کابل USB 3.2 Gen 2 دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کلو VS Samsung

ویژگی	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SMI SM2263XT	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	2050 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1650 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, BSMI	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z440 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z440 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phoenix	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	750,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1,800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	20 گرم	9 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	60,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	20 گرم	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال پشتیبانی از کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS1030 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, KCC, VCCI, REACH, RoHS	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	20 گرم
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی SPATIUM M370 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M370 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E13T	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	102,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 2.3 وات هنگام استفاده ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	-
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه VivoBook 15 X1504VA ایسوس Core i7-1355U Iris Xe 40GB 512GBبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ASUS VS Samsung

ویژگی	VivoBook 15 X1504VA ایسوس Core i7-1355U Iris Xe 40GB 512GB	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
اندازه و ابعاد	19.9 * 232.5 * 359.7 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	1.7 کیلوگرم	20 گرم
سی‌پی‌یو (CPU)	Intel Core i7-1355U	-
نسل CPU	Raptor Lake-U	-
فرکانس کاری پردازنده	1.2 تا 5.0 گیگاهرتز	-
مقدار حافظه کش	12 MB	-
جزئیات پردازنده	نسل سیزدهم پردازنده‌های Core i7 10 هسته 12 ترد ** لیتوگرافی 10 نانومتری	-
گرافیک مجتمع با پردازنده	Intel Iris Xe Graphics	-
ظرفیت رم	40 MB	-
نوع حافظه‌ی RAM	DDR4-3200	-
ظرفیت حافظه‌ی ذخیره‌سازی	512 MB	-
نوع حافظه‌ی ذخیره‌سازی	SSD	-
جزئیات حافظه داخلی	M.2 NVMe PCIe 3.0	-
اندازه نمایشگر	15.6 اینچ	-
رزولوشن دیسپلی	1080×1920 - FHD	-
فرکانس نوسازی تصویر	60 هرتز	-
نوع پوشش صفحه نمایش	مات	-
قابلیت لمسی در صفحه‌نمایش	false	-
پورت اترنت (شبکه)	false	-
قابلیت شبکه بی‌سیم	true	-
پشتیبانی از بلوتوث (Bluetooth)	true	-
پورت VGA	false	-
HDMI	true	-
پورت DVI	false	-
پورت USB Type C	true	-
قابلیت پشتیبانی از Thunderbolt	false	-
وجود جک هدفون/میکروفن	true	-
حجم و ظرفیت باتری	باتری 3 سلولی با ظرفیت 42 وات‌ساعت	-
درایو نوری (Optical Drive)	false	-
وبکم (Webcam)	true	-
کیبورد با نور پس‌زمینه (Backlit Keyboard)	true	-
حسگر اثر انگشت	true	-
کارت‌خوان (Card Reader)	true	-
نوع اسپیکر	بلندگوهای داخلی استریو	-
نوع کاربری حافظه	-	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	-	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	50,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.59 وات * حالت خواندن ** 2.515 وات * حالت نوشتن 0.693 وات به صورت میانگین 0.672 وات * حالت آماده باش	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	57 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محتویات جعبه	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری * کیس کابل USB کابل ساتا کابل دیتا شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ام اس آی PATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

msi VS Samsung

ویژگی	ام اس آی PATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	حداکثر 9.5 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	9.7 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت Viper VPN100 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

پاتریوت VS Samsung

ویژگی	پاتریوت Viper VPN100 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS 3 64L TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison E12	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2200 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	38,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	SK Hynix DDR4	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	400 (TBW) ترابایت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	6 باله‌ی حرارتی قابلیت پایش دمای حافظه نرم‌افزار VIPER VPN100 SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	10.5 * 22 * 80 میلی‌متر	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	20 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه