صفحه 5 از مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	-
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	V-NAND TLC
کنترلر (Controller)	Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	20 گرم	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

گیگابایت VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	20 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	-
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	QLC
کنترلر (Controller)	Phoenix	-
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	20 گرم	۴۶ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	۷.۲ گرم	20 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۴۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	۲.۸ گرم	20 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

دِل VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	960 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	۷ گرم	20 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۶۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	۲.۶ گرم	20 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	20 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

دِل VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	960 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	38,000IOPS
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
وزن محصول	-	20 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۷۰۰۰ IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۱۰۰۰ IOPS	38,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	20 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2 22110
کنترلر (Controller)	-	Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	-	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	Samsung 1.5 GB LPDDR4
میزان توان مصرفی	-	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه