| نوع کاربری حافظه | اینترنال | حافظه فلش NAND |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | M.2 2280 |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b | PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | M.2 22110 | فرم فاکتور M.2 2280 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 960 MB | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | آخرین حافظه NAND |
| کنترلر (Controller) | Phoenix | کنترلر با روکش نیکل |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3000 مگابایت بر ثانیه | 7150 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 1200 مگابایت بر ثانیه | - |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 400,000IOPS | - |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 38,000IOPS | - |
| حافظه DRAM | دارد | - |
| نوع حافظه DRAM | Samsung 1.5 GB LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | - |
| طول عمر متوسط | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) | - |
| میزان توان مصرفی | 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle | کارآمد |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | - |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | - |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | - |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | - |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | |
| سیستمعاملهای سازگار | - | کامپیوتر شخصی، لپتاپ |
| قابلیتهای جانبی | - | فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0 |
| مجوزها و تاییدیهها | پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 38 × 22 × 110.2 ميلیمتر | M.2 2280 |
|---|---|---|
| وزن محصول | 20 گرم | - |
| شیوه اتصال | - | NVMe |
|---|
| محتویات جعبه | - | SSD (MZ-V9S1T0B/AM) |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!