1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 5100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 9 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 5100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه 5100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۶۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
اندازه و ابعاد M.۲ 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه PCI Express ۲.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 5100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 5100 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۲ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 9 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
VS
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND ۳D cMLC
کنترلر (Controller) Samsung Elpis -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 5100 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
VS
مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND -
کنترلر (Controller) Samsung Elpis -
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5100 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 9 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لنوو VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis
نرخ خواندن ترتیبی - 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 5100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 6.1 وات * حالت خواندن ** 5.6 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 9 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه