صفحه 6 از مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	250 MB
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۶.۵ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	320,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۶۰۰۰ IOPS	320,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.۲	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۲.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۷۰۰۰ IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۱۰۰۰ IOPS	320,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷۰ گرم	8 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	-	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

برند نامشخص VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۷.۵ گرم	8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	320,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	35,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.59 وات * حالت خواندن ** 2.515 وات * حالت نوشتن 0.693 وات به صورت میانگین 0.672 وات * حالت آماده باش	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	57 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محتویات جعبه	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری * کیس کابل USB کابل ساتا کابل دیتا شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 48-Layer MLC V-NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	440,000IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 48-Layer MLC V-NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.3 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	7500 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6850 مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد	20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	320,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

PNY VS Samsung

ویژگی	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3900 مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	320,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا VS Samsung

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Samsung VS Samsung

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Samsung In-House Controller
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	320,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

Samsung VS ایکس انرژی

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	ایکس انرژی FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه