1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ایکس پی جی VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 11 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS 320,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3L -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI SM2262EN Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 320,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 320,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 1300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS لکسار
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller DM620
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller Samsung Phoenix Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه