صفحه 10 از مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1655 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS دی شیشو

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	mSATA
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7، 8، 10 مک OS لینوکس
قابلیت‌های جانبی	-	استاندارهای FCC , CE , ROHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	420 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	63 گرم
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی نرم‌افزار SP Toolbox
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ایکس انرژی

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	ای دیتا FALCON SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	RoHS, CE, FCC
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

Samsung VS سیلیکون پاور

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	46 گرم
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مواد بدنه	-	پلاستیک
نشانگر وضعیت LED	-	false
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

Samsung VS ویکومن

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	55 گرم
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	Silicon Motion SM2258
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	80,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نوع حافظه DRAM	-	DDR3
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	120,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	200 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

Samsung VS توشیبا

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	-
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	TLC
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	-
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	115 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

Samsung VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	540,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	7.5 گرم
نوع حافظه DRAM	-	SK Hynix DDR4
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung In-House Controller	Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی	2900 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1300 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	320,000IOPS	400,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3.7 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG Pyrite
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6 گرم
نوع حافظه DRAM	-	NANYA DDR3L
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه