1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 560,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS 560,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

Samsung VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 620,000IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 560,000IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 8 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

گیگابایت VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 560,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 560,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

آی‌استوریج VS Samsung
ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS 560,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

کینگستون VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 560,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Samsung VS سی‌گیت
ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 620,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 560,000IOPS ۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت ۱۲ V
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای‌دیتا VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS 560,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲ گرم 8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فیلیپس VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 560,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۲۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 560,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

برند نامشخص VS Samsung
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1,200 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 620,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 560,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه